NXP USA Inc. BST72A

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

100 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

75 ns

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BST72A

Package Shape

ROUND

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.81

Part Package Code

TO-92

Drain Current-Max (ID)

0.19 A

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

190 mA

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

830 mW

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

70 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

190 mA

JEDEC-95代码

TO-92

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.19 A

漏极-源极导通最大电阻

10 Ω

漏源击穿电压

100 V

输入电容

40 pF

DS 击穿电压-最小值

100 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.83 W

漏源电阻

10 Ω

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

无铅

无铅