NXP USA Inc. BST72A,112

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

190mA Ta

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

830mW Ta

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.5V @ 1mA

操作温度

150°C TJ

包装

Bulk

系列

TrenchMOS™

已出版

2007

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10 Ω @ 150mA, 5V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

40pF @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.19A

DS 击穿电压-最小值

100V

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant