NXP USA Inc. BST82-T/R
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BST82-T/R
1786-BST82-T/R
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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TRANSISTOR 175 mA, 80 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, SOT-23, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
1最小包装量--
BST82-T/R详情
NXP USA Inc. BST82-T/R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Voltage Rating (DC)
100 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
55 ns
包装
Tape & Reel (TR)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
额定电流
190 mA
元素配置
Single
功率耗散
830 mW
上升时间
77 ns
漏源电压 (Vdss)
100 V
连续放电电流(ID)
190 mA
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
漏源击穿电压
100 V
输入电容
40 pF
无铅
无铅
BST82-T/R拓展信息
NXP USA Inc.
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