BUK100-50GL
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NXP USA Inc. BUK100-50GL

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型号

BUK100-50GL

utmel 编号

1786-BUK100-50GL

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 13.5 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, FET General Purpose Power

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BUK100-50GL
BUK100-50GL NXP USA Inc. TRANSISTOR 13.5 A, 50 V, 0.125 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, FET General Purpose Power

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BUK100-50GL详情

NXP USA Inc. BUK100-50GL重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • Voltage Rating (DC)

    50 V

  • RoHS

    Compliant

  • Turn Off Delay Time

    10 ns

  • Package Description

    ,

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK100-50GL

  • Manufacturer

    Philips Semiconductors

  • Part Life Cycle Code

    Transferred

  • Ihs Manufacturer

    飞利浦半导体

  • Risk Rank

    5.7

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -55 °C

  • 子类别

    FET 通用电源

  • Reach合规守则

    unknown

  • 额定电流

    15 A

  • 配置

    Single

  • 元素配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 功率耗散

    40 W

  • 上升时间

    1 ns

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    13.5 A

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    13.5 A

  • 漏源击穿电压

    50 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    40 W

  • 漏源电阻

    125 mΩ

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

BUK100-50GL拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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