NXP USA Inc. BUK119-50DL

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

50 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

60 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK119-50DL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.84

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

20 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

BUILT-IN OVER TEMPERATURE CIRCUIT

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

额定电流

43 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

90 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

50 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

20 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.028 Ω

漏源击穿电压

50 V

DS 击穿电压-最小值

50 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

52 mΩ

无铅

无铅