NXP USA Inc. BUK6212-40C
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BUK6212-40C
1786-BUK6212-40C
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
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50A, 40V, 0.02ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, PLASTIC, SC-63, DPAK-3
--最小包装量--
BUK6212-40C详情
NXP USA Inc. BUK6212-40C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, SC-63, DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK6212-40C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.74
Part Package Code
TO-252
Drain Current-Max (ID)
50 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
附加功能
逻辑电平兼容
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
漏极-源极导通最大电阻
0.02 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
233 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
55 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUK6212-40C拓展信息
NXP USA Inc.
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