NXP USA Inc. BUK6507-55C
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BUK6507-55C
1786-BUK6507-55C
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR 100 A, 55 V, 0.0105 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, SC-46, 3 PIN, FET General Purpose Power
1最小包装量--
BUK6507-55C详情
NXP USA Inc. BUK6507-55C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK6507-55C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.76
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
100 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.0105 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
405 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
128 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUK6507-55C拓展信息
NXP USA Inc.
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