NXP USA Inc. BUK6507-75C,127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-220AB

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

204W (Tc)

Product Status

Obsolete

Manufacturer Package Code

SOT78A

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK6507-75C,127

Manufacturer

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.83

Part Package Code

TO-220

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

Brand Name

恩智浦半导体

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.6mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.8V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

7600 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

123 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

75 V

Vgs（最大值）

±16V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

100 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

204 W

场效应管特性

-

源Url状态检查日期

2013-06-14 00:00:00