NXP USA Inc. BUK653R2-55C

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK653R2-55C

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.75

Part Package Code

TO-220AB

Drain Current-Max (ID)

120 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

最高工作温度

175 °C

最大功率耗散

306 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

306 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

55 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

120 A

阈值电压

2.3 V

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0048 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

861 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

724 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

达到SVHC

无SVHC