NXP USA Inc. BUK663R5-30C

表面安装

YES

引脚数

3

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK663R5-30C

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

100 A

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

158 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

158 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

30 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

100 A

阈值电压

2.3 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0058 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

616 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

242 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

栅源电压

2.3 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅