NXP USA Inc. BUK6C2R1-55C,118-NX
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BUK6C2R1-55C,118-NX
1786-BUK6C2R1-55C,118-NX
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
大陆
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PFET, 228A I(D), 55V, 0.0037OHM,
1最小包装量--
BUK6C2R1-55C,118-NX详情
NXP USA Inc. BUK6C2R1-55C,118-NX重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-263-7, D2Pak (6 Leads + Tab)
供应商器件包装
D2PAK-7
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
228A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.3mOhm @ 90A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
16000 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
253 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
55 V
Vgs(最大值)
±16V
场效应管特性
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BUK6C2R1-55C,118-NX拓展信息
NXP USA Inc.
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