NXP USA Inc. BUK6E2R0-30C127
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BUK6E2R0-30C127
1786-BUK6E2R0-30C127
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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N-channel TrenchMOS intermediate level FET TO-262 3-Pin
1最小包装量--
BUK6E2R0-30C127详情
NXP USA Inc. BUK6E2R0-30C127重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
供应商器件包装
I2PAK
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
NXP USA Inc.
Power Dissipation (Max)
306W (Tc)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
14964 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
229 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
30 V
Vgs(最大值)
±16V
场效应管特性
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BUK6E2R0-30C127拓展信息
NXP USA Inc.
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