NXP USA Inc. BUK6E2R3-40C
- 收藏
- 对比
BUK6E2R3-40C
1786-BUK6E2R3-40C
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

120A, 40V, 0.0036ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
1最小包装量--
BUK6E2R3-40C详情
NXP USA Inc. BUK6E2R3-40C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK6E2R3-40C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.76
Part Package Code
TO-262AA
Drain Current-Max (ID)
120 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0036 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
1006 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
1020 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUK6E2R3-40C拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.







哦! 它是空的。