NXP USA Inc. BUK7108-40AIE,118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

表面安装

YES

引脚数

5

供应商器件包装

SOT-426

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

221W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Package Description

PLASTIC, D2PAK-5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

SOT426

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

BUK7108-40AIE,118

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.21

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

75 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

Brand Name

Nexperia

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE, CURRENT AND KELVIN SENSOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

8mOhm @ 50A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3140 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

84 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

40 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

117 A

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

468 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

630 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

221 W

场效应管特性

电流感应

达到SVHC

not_compliant