NXP USA Inc. BUK7511-55B,127

生命周期状态

Obsolete (Last Updated: 4 days ago)

触点镀层

Tin

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-220AB

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

41 ns

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

157W (Tc)

Product Status

Obsolete

Package Description

PLASTIC, SC-46, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

SOT78A

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK7511-55B,127

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.38

Part Package Code

TO-220

Drain Current-Max (ID)

75 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

230 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

Brand Name

恩智浦半导体

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

157 W

箱体转运

DRAIN

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2604 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

37 nC @ 10 V

上升时间

45 ns

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

84 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大双电源电压

55 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.011 Ω

漏源击穿电压

55 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

338 A

输入电容

5.26 nF

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

173 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

157 W

场效应管特性

-

漏源电阻

11 mΩ

最大rds

8.5 mΩ

辐射硬化

无