NXP USA Inc. BUK7535-55A

表面安装

NO

引脚数

3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

55 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

24 ns

Package Description

PLASTIC, SC-46, 3 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

NOT APPLICABLE

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK7535-55A

Drain Current-Max (ID)

35 A

Part Package Code

TO-220AB

Risk Rank

5.18

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Part Life Cycle Code

Transferred

Number of Elements

1

Manufacturer

恩智浦半导体

Package Shape

RECTANGULAR

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

防静电

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

85 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

Reach合规守则

unknown

额定电流

35 A

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

85 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

62 ns

漏源电压 (Vdss)

55 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

35 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

35 A

漏极-源极导通最大电阻

0.035 Ω

漏源击穿电压

55 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

139 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

49 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

85 W

漏源电阻

35 mΩ

栅源电压

3 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅