NXP USA Inc. BUK753R4-30B,127

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

255W Tc

系列

TrenchMOS™

已出版

2011

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

3.4m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4951pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

75nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

30V

Vgs（最大值）

±20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

源Url状态检查日期

2013-06-14 00:00:00

RoHS状态

ROHS3 Compliant