NXP USA Inc. BUK754R3-40B

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

40 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

95 ns

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Package Style

FLANGE MOUNT

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK754R3-40B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.24

Drain Current-Max (ID)

75 A

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

37 A

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

254 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

55 ns

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

176 A

JEDEC-95代码

TO-220AB

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

0.0043 Ω

漏源击穿电压

40 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

706 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

961 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

4.3 mΩ

无铅

无铅