NXP USA Inc. BUK7606-55B,118

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

D2PAK

RoHS

Lead free / RoHS Compliant

Input Capacitance (Ciss) @ Vds

5100pF @ 25V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Online Catalog

N-Channel Standard FETs

Gate Charge (Qg) @ Vgs

64nC @ 10V

Package

Bulk

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

254W (Tc)

Product Status

活跃

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

功率 - 最大

254W

家人

FETs - Single

场效应管类型

MOSFET N-Channel, Metal Oxide

Rds On(Max)@Id,Vgs

6 mOhm @ 25A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5100 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±20V

场效应管特性

Standard