NXP USA Inc. BUK7608-55,118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

187W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

已出版

1998

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4500pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±16V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.008Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

反馈上限-最大值 (Crss)

440 pF

关断时间-最大值（toff)

210ns

接通时间-最大值(ton)

145ns

RoHS状态

ROHS3 Compliant