BUK7619-100B
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NXP USA Inc. BUK7619-100B

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型号

BUK7619-100B

utmel 编号

1786-BUK7619-100B

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

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立即发货

ROHS

ECAD

简介

64A, 100V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3

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BUK7619-100B
BUK7619-100B NXP USA Inc. 64A, 100V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3

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BUK7619-100B详情

NXP USA Inc. BUK7619-100B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    D2PAK-3

  • Package Style

    小概要

  • Moisture Sensitivity Levels

    1

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    BUK7619-100B

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Nexperia

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NEXPERIA

  • Risk Rank

    5.76

  • Drain Current-Max (ID)

    64 A

  • JESD-609代码

    e3

  • 端子表面处理

    Tin (Sn)

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    245

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 漏源电压 (Vdss)

    100 V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 连续放电电流(ID)

    64 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.019 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    256 A

  • DS 击穿电压-最小值

    100 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    222 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 无铅

    无铅

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BUK7619-100B拓展信息

BUK7219-55A
BUK7219-55A

NXP USA Inc.

PSMN1R7-60BS
PSMN1R7-60BS

NXP USA Inc.

PMV250EPEA
PMV250EPEA

NXP USA Inc.

PMN20EN
PMN20EN

NXP USA Inc.

PSMN1R1-40BS
PSMN1R1-40BS

NXP USA Inc.

PSMN8R040PS127
PSMN8R040PS127

NXP USA Inc.

BSS83
BSS83

NXP USA Inc.

2N7002P,215
2N7002P,215

NXP USA Inc.

BLF6G38-10G,118
BLF6G38-10G,118

NXP USA Inc.

PSMN2R0-30YLE
PSMN2R0-30YLE

NXP USA Inc.

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