NXP USA Inc. BUK7619-100B
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BUK7619-100B
1786-BUK7619-100B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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64A, 100V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
1最小包装量--
BUK7619-100B详情
NXP USA Inc. BUK7619-100B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Compliant
Package Description
D2PAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
30
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK7619-100B
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.76
Drain Current-Max (ID)
64 A
JESD-609代码
e3
端子表面处理
Tin (Sn)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
R-PSSO-G2
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
漏源电压 (Vdss)
100 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
64 A
漏极-源极导通最大电阻
0.019 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
256 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
雪崩能量等级(Eas)
222 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
无铅
无铅
BUK7619-100B拓展信息
NXP USA Inc.
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