NXP USA Inc. BUK7907-55ATE
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BUK7907-55ATE
1786-BUK7907-55ATE
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR 75 A, 55 V, 0.007 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TO-220, 5 PIN, FET General Purpose Power
1最小包装量--
BUK7907-55ATE详情
NXP USA Inc. BUK7907-55ATE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, TO-220, 5 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Drain Current-Max (ID)
75 A
Part Package Code
TO-220
Risk Rank
5.21
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Part Life Cycle Code
Transferred
Number of Elements
1
Manufacturer
恩智浦半导体
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer Part Number
BUK7907-55ATE
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
5
JESD-30代码
R-PSFM-T5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.007 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
560 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
460 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
272 W
BUK7907-55ATE拓展信息
NXP USA Inc.
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