NXP USA Inc. BUK794R1-40BT
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BUK794R1-40BT
1786-BUK794R1-40BT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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75A, 40V, 0.0041ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, TO-220, 5 PIN
1最小包装量--
BUK794R1-40BT详情
NXP USA Inc. BUK794R1-40BT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
引脚数
5
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
40 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
141 ns
Package Description
PLASTIC, TO-220, 5 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK794R1-40BT
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.24
Part Package Code
TO-220
Drain Current-Max (ID)
75 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
额定电流
75 A
JESD-30代码
R-PSFM-T5
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
272 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
82 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
187 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
75 A
漏极-源极导通最大电阻
0.0041 Ω
漏源击穿电压
40 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
748 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
1500 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
272 W
漏源电阻
4.1 mΩ
达到SVHC
not_compliant
无铅
无铅
BUK794R1-40BT拓展信息
NXP USA Inc.
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