NXP USA Inc. BUK7E2R7-30B

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

I2PAK-3

Package Style

IN-LINE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK7E2R7-30B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.24

Drain Current-Max (ID)

75 A

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-262AA

漏极-源极导通最大电阻

0.0027 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

967 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

2300 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR