NXP USA Inc. BUK7L06-34ARC
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BUK7L06-34ARC
1786-BUK7L06-34ARC
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR 75 A, 34 V, 0.006 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC PACKAGE-3, FET General Purpose Power
1最小包装量--
BUK7L06-34ARC详情
NXP USA Inc. BUK7L06-34ARC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
引脚数
3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Voltage Rating (DC)
34 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
196 ns
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Part Number
BUK7L06-34ARC
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Nexperia
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEXPERIA
Risk Rank
5.24
Drain Current-Max (ID)
75 A
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
额定电流
75 A
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
250 W
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
108 ns
漏源电压 (Vdss)
34 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
75 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大双电源电压
34 V
漏极-源极导通最大电阻
0.006 Ω
漏源击穿电压
34 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
590 A
DS 击穿电压-最小值
34 V
雪崩能量等级(Eas)
1000 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
漏源电阻
5.3 mΩ
无铅
无铅
BUK7L06-34ARC拓展信息
NXP USA Inc.
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