NXP USA Inc. BUK7L11-34ARC,127

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

表面安装

NO

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

172W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3.8V @ 1mA

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tube

系列

TrenchMOS™

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

JESD-30代码

R-PSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

11m Ω @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2506pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

53nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

34V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

TO-220AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.011Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

358A

DS 击穿电压-最小值

34V

雪崩能量等级（Eas）

465 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant