NXP USA Inc. BUK7Y35-55B

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK7Y35-55B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.76

Drain Current-Max (ID)

28.43 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

235

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

MO-235

漏极-源极导通最大电阻

0.035 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

113 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

33 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR