NXP USA Inc. BUK7Y9R9-80E
- 收藏
- 对比
BUK7Y9R9-80E
1786-BUK7Y9R9-80E
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

89A, 80V, 0.0099ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK56-4
--最小包装量--
BUK7Y9R9-80E详情
NXP USA Inc. BUK7Y9R9-80E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
4
RoHS
Compliant
电阻
7.3 mΩ
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
195 W
漏源电压 (Vdss)
80 V
连续放电电流(ID)
89 A
阈值电压
3 V
栅源电压
3 V
达到SVHC
无SVHC
BUK7Y9R9-80E拓展信息
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.
NXP USA Inc.







哦! 它是空的。