NXP USA Inc. BUK9107-55ATE,118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-426

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

NXP USA Inc.

Power Dissipation (Max)

272W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

D2PAK-5

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

SOT426

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Manufacturer Part Number

BUK9107-55ATE,118

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.21

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

75 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

TrenchMOS™

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

子类别

FET 通用电源

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSSO-G4

资历状况

不合格

Brand Name

Nexperia

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6.2mOhm @ 50A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5836 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

108 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

55 V

Vgs（最大值）

±15V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0077 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

560 A

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

500 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

272 W

场效应管特性

温度传感二极管