NXP USA Inc. BUK9230-55A,118
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BUK9230-55A,118
1786-BUK9230-55A,118
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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N-channel TrenchMOS logic level FET DPAK 3-Pin
1最小包装量--
BUK9230-55A,118详情
NXP USA Inc. BUK9230-55A,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, SC-63, DPAK-3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Manufacturer Package Code
SOT428
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK9230-55A,118
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Risk Rank
5.18
Part Package Code
DPAK
Drain Current-Max (ID)
38 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin (Sn)
HTS代码
8541.29.00.75
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
Brand Name
恩智浦半导体
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-252
最大漏极电流 (Abs) (ID)
38 A
漏极-源极导通最大电阻
0.033 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
154 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
57.8 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
88 W
BUK9230-55A,118拓展信息
NXP USA Inc.
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