NXP USA Inc. BUK9535-55
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BUK9535-55
1786-BUK9535-55
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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TRANSISTOR 34 A, 55 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN, FET General Purpose Power
1最小包装量--
BUK9535-55详情
NXP USA Inc. BUK9535-55重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
PLASTIC, TO-220AB, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BUK9535-55
Turn-on Time-Max (ton)
131 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
恩智浦半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NXP SEMICONDUCTORS
Turn-off Time-Max (toff)
145 ns
Risk Rank
5.69
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
34 A
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
TIN
附加功能
LOGIC LEVEL COMPATIBLE, ESD PROTECTION
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
34 A
漏极-源极导通最大电阻
0.035 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
136 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
45 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
85 W
反馈上限-最大值 (Crss)
150 pF
源Url状态检查日期
2013-06-14 00:00:00
环境耗散-最大值
85 W
BUK9535-55拓展信息
NXP USA Inc.
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