NXP USA Inc. BUK9611-55A,118

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Power Dissipation (Max)

166W Tc

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

75A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

已出版

1997

系列

TrenchMOS™

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

HTS代码

8541.29.00.75

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

10m Ω @ 25A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4230pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±10V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75A

漏极-源极导通最大电阻

0.012Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

266A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

330 mJ

RoHS状态

ROHS3 Compliant

达到SVHC

not_compliant