NXP USA Inc. BUK9907-40ATC

表面安装

NO

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Voltage Rating (DC)

40 V

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

17 µs

Package Description

PLASTIC, TO-220, 5 PIN

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK9907-40ATC

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

5.24

Part Package Code

TO-220

Drain Current-Max (ID)

75 A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

75 A

引脚数量

5

JESD-30代码

R-PSFM-T5

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

272 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

10 µs

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

140 A

栅极至源极电压(Vgs)

15 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.0077 Ω

漏源击穿电压

40 V

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

560 A

DS 击穿电压-最小值

40 V

雪崩能量等级（Eas）

1400 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

272 W

漏源电阻

6.2 mΩ

无铅

无铅