NXP USA Inc. BUK9E04-30B
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BUK9E04-30B
1786-BUK9E04-30B
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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75A, 30V, 0.0044ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, PLASTIC, TO-262, I2PAK-3
1最小包装量--
BUK9E04-30B详情
NXP USA Inc. BUK9E04-30B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Voltage Rating (DC)
30 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
236 ns
包装
Bulk
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
额定电流
75 A
元素配置
Single
功率耗散
254 W
上升时间
76 ns
连续放电电流(ID)
183 A
栅极至源极电压(Vgs)
15 V
漏源击穿电压
30 V
漏源电阻
3 mΩ
无铅
无铅
BUK9E04-30B拓展信息
NXP USA Inc.
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