NXP USA Inc. BUK9Y19-75B

表面安装

NO

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T4

Package Style

FLANGE MOUNT

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK9Y19-75B

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.39

Drain Current-Max (ID)

48.2 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

电阻

14.7 mΩ

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

106 W

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

75 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

48.2 A

阈值电压

1.65 V

JEDEC-95代码

MO-235

漏极-源极导通最大电阻

0.019 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

192 A

DS 击穿电压-最小值

75 V

雪崩能量等级（Eas）

121 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

栅源电压

1.65 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅