NXP USA Inc. BUK9Y40-55B

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK9Y40-55B

Drain Current-Max (ID)

26 A

Risk Rank

5.22

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Samacsys Description

恩智浦半导体

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Nexperia

Package Shape

RECTANGULAR

JESD-609代码

e3

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

电阻

36 mΩ

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

最大功率耗散

59 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

59 W

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

55 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

26 A

阈值电压

1.5 V

漏极-源极导通最大电阻

0.04 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

106 A

双电源电压

55 V

DS 击穿电压-最小值

55 V

雪崩能量等级（Eas）

36 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

栅源电压

1.5 V

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅