NXP USA Inc. BUK9Y59-60E

表面安装

YES

引脚数

4

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G4

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BUK9Y59-60E

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Nexperia

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

NEXPERIA

Risk Rank

5.35

Drain Current-Max (ID)

16.7 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

电阻

44 mΩ

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

雪崩 额定

最大功率耗散

37 W

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

参考标准

AEC-Q101; IEC-60134

JESD-30代码

R-PSSO-G4

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

16.7 A

阈值电压

1.7 V

JEDEC-95代码

MO-235

最大漏极电流 (Abs) (ID)

16.7 A

漏极-源极导通最大电阻

59 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

67 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

8.84 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

37 W

栅源电压

1.7 V

反馈上限-最大值 (Crss)

56 pF

环境耗散-最大值

37 W

达到SVHC

无SVHC