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首页 分立半导体产品 二极管 - 齐纳 - 单 BZB784C12TR
BZB784C12TR
BZB784C12TR

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NXP USA Inc. BZB784C12TR

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型号

BZB784C12TR

品牌

NXP USA Inc.

utmel 编号

1786-BZB784C12TR

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

BZB784C12TR datasheet pdf and Diodes - Zener - Single product details from NXP USA Inc. stock available at utmel

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BZB784C12TR NXP USA Inc.

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BZB784C12TR详情

技术参数

NXP USA Inc. BZB784C12TR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • Voltage Rating (DC)

    12 V

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 额定功率

    350 mW

  • 阻抗

    25 Ω

  • 元素配置

    共阳极

  • 功率耗散

    350 mW

  • 最大反向漏电电流

    100 nA

  • 齐纳电压

    12.05 V

  • 电压允差

    5 %

  • 无铅

    无铅

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS
优势产品

选择时请仔细核对商品参数信息

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