NXP USA Inc. BZV85C51

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Compliant

Package Description

ROHS COMPLIANT, HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

40

Reference Voltage-Nom

51 V

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

BZV85-C51

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Manufacturer

恩智浦半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

NXP SEMICONDUCTORS

Risk Rank

7.98

Part Package Code

DO-41

包装

切割胶带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

端子表面处理

Tin (Sn)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

电压基准二极管

最大功率耗散

1 W

技术

ZENER

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

阻抗

125 Ω

元素配置

Single

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

最大反向漏电电流

50 nA

测试电流

4 mA

齐纳电压

51 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-41

工作测试电流

4 mA

反向电流-最大值

0.05 µA

动态阻抗-最大值

125 Ω

电压温度系数

56.5 mV/°C

宽度

2.6 mm

高度

2.6 mm

长度

4.8 mm

达到SVHC

无SVHC