NXP USA Inc. PDTA113EE,115

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-75, SOT-416

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

1

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin (Sn)

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

时间@峰值回流温度-最大值(s)

40

基本部件号

PDTA113

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

150mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP - Pre-Biased

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 40mA 5V

最大集极截止电流

1μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 1.5mA, 30mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最大耗散功率(Abs)

0.15W

电阻基(R1)

1 k Ω

电阻-发射极基极(R2)

1 k Ω

RoHS状态

ROHS3 Compliant