NXP USA Inc. PH3120L,115-NXP
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PH3120L,115-NXP
1786-PH3120L,115-NXP
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-100, SOT-669
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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
1最小包装量--
PH3120L,115-NXP详情
NXP USA Inc. PH3120L,115-NXP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-100, SOT-669
供应商器件包装
LFPAK56, Power-SO8
厂商
NXP USA Inc.
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
62.5W (Tc)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.65mOhm @ 25A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
4457 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
48.5 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
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PH3120L,115-NXP拓展信息
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