NXP USA Inc. PHB101NQ03LT
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PHB101NQ03LT
1786-PHB101NQ03LT
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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75A, 30V, 0.007ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, PLASTIC, D2PAK-3
1最小包装量--
PHB101NQ03LT详情
NXP USA Inc. PHB101NQ03LT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
RoHS
Compliant
终端
SMD/SMT
最高工作温度
175 °C
最大功率耗散
166 W
功率耗散
166 W
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
75 A
阈值电压
1.9 V
达到SVHC
无SVHC
PHB101NQ03LT拓展信息
NXP USA Inc.
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