NXP USA Inc. PHB11N06LT,118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

33W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

1999

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

130m Ω @ 5.5A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

330pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.2nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

55V

Vgs（最大值）

±15V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10.3A

漏极-源极导通最大电阻

0.15Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

41A

DS 击穿电压-最小值

55V

雪崩能量等级（Eas）

25 mJ

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant