NXP USA Inc. PHB38N02LT,118

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

44.7A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V 5V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

57.6W Tc

操作温度

-55°C~175°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2000

JESD-609代码

e3

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

2

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

TIN

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

16m Ω @ 25A, 5V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

800pF @ 20V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

15.1nC @ 5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

12V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

44.7A

漏极-源极导通最大电阻

0.016Ohm

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

179A

DS 击穿电压-最小值

20V

RoHS状态

ROHS3 Compliant