NXP USA Inc. PHK24NQ04LT,518

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

21.2A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

6.25W Tc

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

2 (1 Year)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.7m Ω @ 14A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2985pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

64nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

40V

Vgs（最大值）

±20V

JEDEC-95代码

MS-012

最大漏极电流 (Abs) (ID)

21.2A

漏极-源极导通最大电阻

0.0077Ohm

DS 击穿电压-最小值

40V

RoHS状态

ROHS3 Compliant