NXP USA Inc. PHN210,118
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PHN210,118
1786-PHN210,118
晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
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MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
1最小包装量--
PHN210,118详情
NXP USA Inc. PHN210,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
操作温度
-65°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
TrenchMOS™
已出版
2002
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
引脚数量
8
功率 - 最大
2W
场效应管类型
2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs
100m Ω @ 2.2A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.8V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
250pF @ 20V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
30V
场效应管特性
逻辑电平门
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PHN210,118拓展信息
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