PHN210,118
PHN210,118

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

NXP USA Inc. PHN210,118

  • 收藏
  • 对比

型号

PHN210,118

utmel 编号

1786-PHN210,118

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 阵列

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
PHN210,118
PHN210,118 NXP USA Inc. MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

PHN210,118详情

NXP USA Inc. PHN210,118重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 系列

    TrenchMOS™

  • 已出版

    2002

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 引脚数量

    8

  • 功率 - 最大

    2W

  • 场效应管类型

    2 N-Channel (Dual)

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    100m Ω @ 2.2A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2.8V @ 1mA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    250pF @ 20V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    6nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    30V

  • 场效应管特性

    逻辑电平门

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

0个相似型号

技术文档: NXP USA Inc. PHN210,118.

PHN210,118拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z