NXP USA Inc. PHT2NQ10T,135

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA

表面安装

YES

引脚数

4

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.5A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

1

Power Dissipation (Max)

6.25W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1mA

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

系列

TrenchMOS™

已出版

2000

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

4

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G4

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

430m Ω @ 1.75A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

160pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.1nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

100V

Vgs（最大值）

±20V

漏极-源极导通最大电阻

0.43Ohm

达到SVHC

unknown

RoHS状态

ROHS3 Compliant