NXP USA Inc. PMBF170,215
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PMBF170,215
1786-PMBF170,215
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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PMBF170 Series 60 V 5 Ohm 0.83 W N-Channel Enhancement Mode Transistor - SOT-23
1最小包装量--
PMBF170,215详情
NXP USA Inc. PMBF170,215重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装
SOT-23 (TO-236AB)
Online Catalog
N-Channel Logic Level Gate FETs
PCN Packaging
Lighter Reels 02/Jan/2014
RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds
40pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA (Ta)
包装
Cut Tape (CT)
功率 - 最大
830mW
家人
FETs - Single
场效应管类型
MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Rds On(Max)@Id,Vgs
5 Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
漏源电压 (Vdss)
60V
场效应管特性
逻辑电平门
PMBF170,215拓展信息
NXP USA Inc.
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