NXP USA Inc. PMFPB6545UP,115
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PMFPB6545UP,115
1786-PMFPB6545UP,115
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
6-UDFN Exposed Pad
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MOSFET FET-KY P-Channel 20V
1最小包装量--
PMFPB6545UP,115详情
NXP USA Inc. PMFPB6545UP,115重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
6-UDFN Exposed Pad
表面安装
YES
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V 4.5V
Power Dissipation (Max)
520mW Ta 8.3W Tc
操作温度
-55°C~150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2012
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
引脚数量
6
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
70m Ω @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
380pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±8V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
3.5A
场效应管特性
Schottky Diode (Isolated)
RoHS状态
ROHS3 Compliant
PMFPB6545UP,115拓展信息
NXP USA Inc.
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